华为申请基材及其制备方法、半导体生长设备专利，用于改善半导体材料制备中因基材受损影响晶体生长质量的问题

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“基材及其制备方法、半导体生长设备”的专利，公开号CN 119153315 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种基材及其制备方法、半导体生长设备，涉及半导体制备技术领域。
基材包括基底，第一材料层和第二材料层，第一材料层中的部分材料渗入基底中。
第一材料层的材料包括TaxCy，或者，包括Ta和TaxCy。
其中，x+y＝1，0本文源自：金融界作者：情报员