珠海镓未来申请具有多层场板的半导体功率器件及其制作方法专利，减少制作流程节省制备时间

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，珠海镓未来科技有限公司申请一项名为“具有多层场板的半导体功率器件及其制作方法”的专利，公开号 CN 119153333 A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种具有多层场板的半导体功率器件及其制作方法。
制作方法包括：提供一氮化镓衬底，沉积第一介质层；制作欧姆接触孔；制作欧姆电极；沉积第二介质层；制作一级场板；依次沉积下层介质层和上层介质层；制作上级场板区域、下级场板区域；制作下级场板、上级场板。
在同等刻蚀条件下，下层介质层的刻蚀速度小于上层介质层的刻蚀速度，上级场板区域之外的上层介质层被完全刻蚀掉后下层介质层仅少部分被刻蚀掉，从而无需在两层介质层之间设置刻蚀停止层，减少制作流程，节省了制备时间；同时可以避免两层介质层之间产生缝隙，场板在该位置处的形状成型效果较好，进而减少因刻蚀损伤导致的电场局部集中效应，提高器件的可靠性。
本文源自：金融界作者：情报员