中芯国际申请电容器件及其形成方法专利，利于提高电容器件的性能

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“电容器件及其形成方法”的专利，公开号CN 119153433 A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，一种电容器件及其形成方法，其中结构包括：位于衬底上的金属层结构，金属层结构包括层叠设置的若干第一电极层、位于相邻两层第一电极层之间的第二电极层、以及位于相邻的第一电极层和第二电极层之间的第一介质层，各第一电极层位于第二区上且延伸至第一区，各第二电极层位于第二区上且延伸至第三区；位于第一区上的第一导电插头，第一导电插头包括第一部和位于第一部上的第二部，第一部沿衬底表面法线方向贯穿各第一电极层，且连接各第一电极层，第一部侧壁与衬底表面法线方向具有第一夹角，第二部侧壁与衬底表面法线方向具有第二夹角第夹角大于第二夹角，利于降低第一导电插头和各第一电极层之间的接触电阻，利于提高电容器件的性能。
本文源自：金融界作者：情报员