上海华虹宏力申请多晶硅回刻蚀的方法专利，能够避免两器件区多晶硅回刻蚀重合区域可能出现的多晶硅柱或者硅深坑

金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“多晶硅回刻蚀的方法”的专利，公开号 CN 119153329 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明提供一种多晶硅回刻蚀的方法，提供衬底，衬底上包括相邻的第一、二器件区，在第一、二器件区的交界处形成宽度为X的浅沟槽隔离，第二器件区上需形成沟槽栅极结构，在衬底上形成栅极电介质层，在栅极电介质层上形成栅极多晶硅层；利用光刻和第一次多晶硅回刻蚀的方法图形化栅极多晶硅层，使其保留在第一器件区上，且剩余栅极多晶硅层的一端部分延伸至浅沟槽隔离上方处；形成覆盖栅极电介质层栅极多晶硅层的光刻胶层光刻图形化光刻胶层光刻后的光刻胶层保留在第二器件区上，且光刻胶层的一端部分延伸至浅沟槽隔离上方处。
本发明能够避免两器件区多晶硅回刻蚀重合区域可能出现的多晶硅柱或者硅深坑。
本文源自：金融界作者：情报员